GaAs

Пластины арсенида галлия (GaAs)

Монокристаллические пластины GaAs (VGF), полуизолирующие и легированные, 2–6 дюймов, epi-ready. Для СВЧ- и оптоэлектронных приборов. По запросу.

2″ / 4″ / 6″SI / n / pEpi-ready

Параметры

Технические параметры

Параметр	Доступно для запроса
Диаметр	50,8 / 76,2 / 100 / 150 мм
Метод выращивания	VGF; LEC по запросу
Тип / примесь	полуизолирующий (нелегированный); n-тип (Si); p-тип (Zn)
Сопротивление (SI)	≥ 1E7 Ом·см (обычно порядка 1E8)
Ориентация	(100), точно или 2° ± 0,5° к (110)
Толщина	2″ — 350 мкм; 4″ — 625 мкм; 6″ — 675 мкм (± 25 мкм)
Плотность дислокаций (EPD)	по классу; например, 4″ SI ≤ 7500 см⁻²
Поверхность	односторонняя или двусторонняя полировка, epi-ready

Окончательные параметры — по спецификации производителя.

Цена
Рассчитываем по спецификации. От чего зависит цена →

Как заказать
Отправьте марку или спецификацию — подтвердим возможность поставки, цену и сроки. Отправить запрос →

Экспортный контроль
Отдельные позиции сложных полупроводников могут подпадать под экспортный контроль; проверяем требования до расчёта.

Применение

HBT, pHEMT — разработка.

Светодиоды, лазеры.

Эпитаксия и материаловедение.

Кассета на 25 пластин или контейнер для одной пластины (для 300 мм — FOSB); чистый пакет с вакуумной или азотной упаковкой; транспортная коробка
Инвойс и упаковочный лист
COA и другие документы производителя — состав уточняем при расчёте

Минимальная партия?

Обычно кассета; для НИОКР — обсуждаем.