SiC · полуизолирующий
Полуизолирующие подложки SiC
Подложки 4H полуизолирующего типа, on-axis {0001}, для разработки приборов GaN-on-SiC. Поставка — по запросу после проверки экспортных требований.
Ø150 мм4H-SIOn-axis
Параметры
Технические параметры
| Параметр | Класс A | Класс B |
|---|---|---|
| Политип | 4H, полуизолирующий | то же |
| Диаметр | 150,0 ± 0,25 мм | то же |
| Толщина | 500 ± 25 мкм; 350 мкм по запросу | то же |
| Ориентация поверхности | {0001} ± 0,2° | то же |
| Удельное сопротивление | ≥ 1E7 Ом·см (выше — по запросу) | то же |
| Плотность микропор (MPD) | ≤ 1 см⁻² | ≤ 5 см⁻² |
| TTV | ≤ 10 мкм | ≤ 15 мкм |
| Прогиб (bow) | ≤ 25 мкм | ≤ 30 мкм |
| Коробление (warp) | ≤ 45 мкм | ≤ 45 мкм |
Окончательные параметры — по спецификации производителя.
Цена
Рассчитываем после проверки экспортных требований. От чего зависит цена →
Рассчитываем после проверки экспортных требований. От чего зависит цена →
Как заказать
Отправьте марку или спецификацию — подтвердим возможность поставки, цену и сроки. Отправить запрос →
Отправьте марку или спецификацию — подтвердим возможность поставки, цену и сроки. Отправить запрос →
Экспортный контроль
Отдельные позиции полуизолирующего SiC могут подпадать под экспортный контроль. Сначала проверяем применимые требования, затем делаем расчёт.
Отдельные позиции полуизолирующего SiC могут подпадать под экспортный контроль. Сначала проверяем применимые требования, затем делаем расчёт.
Применение
Типичное применение
GaN-on-SiC
Разработка приборов и эпитаксии.
Исследования
Широкозонные материалы.
Оптоэлектроника
Отдельные исследовательские задачи.
Упаковка и документы
- Кассета на 25 пластин или контейнер для одной пластины (для 300 мм — FOSB); чистый пакет с вакуумной или азотной упаковкой; транспортная коробка
- Инвойс и упаковочный лист
- COA и другие документы производителя — состав уточняем при расчёте
Вопросы
Есть ли ограничения на экспорт?
Для части позиций — возможно; проверяем до расчёта.