WhatsApp / Telegram +86 159 5731 6065 · E-mail sales@wafertrader.com
SiC · эпитаксия

Эпитаксиальные структуры SiC

N-эпитаксия на подложках 4H-N для приборов 650–3300 В; толщина и легирование по спецификации, карты толщины и концентрации — по согласованию с производителем.

150 / 200 ммN-epi
Пластина карбида кремния
Параметры

Технические параметры

ПараметрДоступно для запроса
Подложка4H-N 150 / 200 мм
Толщина слоя5–50 мкм (типично); толще — по запросу
Равномерность толщины≤ 3 %
Концентрация примеси5E14–1E19 см⁻³ (дрейфовый слой обычно 1E15–2E16 см⁻³)
Равномерность концентрации≤ 8 %
Дефектытреугольные, «морковь», BPD — по спецификации

Окончательные параметры — по спецификации производителя.

Цена
Цену рассчитываем по структуре и количеству. От чего зависит цена →
Как заказать
Отправьте марку или спецификацию — подтвердим возможность поставки, цену и сроки. Отправить запрос →

Толщина дрейфового слоя и напряжение прибора

Класс напряженияТипичная толщина
650 В≈ 5–6 мкм
1200 В≈ 10–13 мкм
1700 В≈ 15–20 мкм
3300 В≈ 30–35 мкм

Конкретные значения определяются конструкцией прибора.

Применение

Типичное применение

650 В

Бортовые зарядные устройства, источники питания.

1200 В

Тяговые и солнечные инверторы.

3300 В

Транспорт, энергетика.

Упаковка и документы

  • Кассета на 25 пластин или контейнер для одной пластины (для 300 мм — FOSB); чистый пакет с вакуумной или азотной упаковкой; транспортная коробка
  • Инвойс и упаковочный лист
  • COA и другие документы производителя — состав уточняем при расчёте

Варианты упаковки и доставки →

Вопросы

Как выбрать толщину слоя?

По классу напряжения прибора — см. таблицу выше.

Отправьте спецификацию или маркировку

Подтвердим возможность поставки, цену и сроки. Подойдёт ГОСТ-маркировка (КДБ, КЭФ), параметры SEMI или ваша спецификация.