Подложки и эпитаксия карбида кремния 150 и 200 мм
Проводящие подложки 4H-N, полуизолирующие подложки и эпитаксиальные структуры SiC. Классы: производственный (P), исследовательский (R), dummy (D).
Выберите позицию
Подложки SiC 150 мм
4H-N, 4° off-axis, 350 мкм — для SiC MOSFET и диодов Шоттки.
Параметры →
Подложки SiC 200 мм
4H-N, 500 мкм, notch — для освоения 200-мм технологии SiC.
Параметры →
Полуизолирующий SiC
4H, on-axis — для разработки приборов GaN-on-SiC; по запросу.
Параметры →
Эпитаксия SiC
N-эпитаксия для приборов 650–3300 В; толщина и легирование по спецификации.
Параметры →Сравнение параметров
| Параметр | 150 мм 4H-N | 200 мм 4H-N | 150 мм полуизолирующий |
|---|---|---|---|
| Толщина | 350 ± 25 мкм | 500 ± 25 мкм | 500 ± 25 мкм |
| Ориентация поверхности | 4,0° к 〈11-20〉 ± 0,5° | 4,0° к 〈11-20〉 ± 0,5° | {0001} ± 0,2° |
| Удельное сопротивление | 0,015–0,025 Ом·см | 0,015–0,025 Ом·см | ≥ 1E7 Ом·см |
| Ориентирующий элемент | Базовый срез 47,5 ± 1,5 мм | Notch | Основной и дополнительный срезы |
| Плотность микропор (P) | ≤ 0,5 см⁻² | ≤ 0,5 см⁻² | ≤ 1 см⁻² |
Окончательные параметры — по спецификации производителя.
Вопросы
Чем отличаются классы P, R и D?
Плотностью микропор и дислокаций и требованиями к дефектам поверхности: P — для серийных приборов, R — для разработки, D — для настройки оборудования.
Можно получить данные MPD по каждой пластине?
Состав данных зависит от производителя; уточняем при расчёте.
Насколько доступны подложки 200 мм?
Небольшими партиями; сроки и цены менее стабильны, чем для 150 мм. Рекомендуем начинать с образцов.